Vishay Intertechnology, Inc. 今天推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E為電信、服務器和數據中心電源應用提供高效率，與上一代 600 VE 系列 MOSFET 相比，導通電阻降低了 27%，同時柵極電荷降低了 60%。這使得同級別器件的柵極充電時間導通電阻達到業界最低，這是電源轉換應用中使用的 600 V MOSFET 的關鍵品質因數 (FOM)。

Vishay 提供廣泛的 MOSFET 技術，支持電源轉換過程的所有階段，從高壓輸入到最新電子系統所需的低壓輸出。憑借 SiHK045N60E 和即將推出的第四代 600 VE 系列系列器件，該公司正在解決電力系統架構第一階段（功率因數校正和硬開關 AC/DC 轉換器拓撲）提高效率和功率密度的需求.

SiHK045N60E 基于 Vishay 最新的節能 E 系列超級結技術構建，在 10 V 時具有 0.043 Ω 的低典型導通電阻和低至 65 nC 的超低柵極電荷。該器件的 FOM 為 2.8 Ω*nC，比同類中最接近的競爭 MOSFET 低 3.4%。為了提高開關性能，SiHK045N60E 提供 117 pF 的低有效輸出電容 C o(er)。這些值轉化為降低的傳導和開關損耗以節省能源。SiHK045N60E 的熱阻 R thJC為 0.45 °C/W，比最接近的競爭器件低 11.8%，提供更高的熱容量。

今天發布的器件采用 PowerPAK ® 10x12 封裝，符合 RoHS 標準，不含鹵素，設計用于在雪崩模式下承受過壓瞬變，并通過 100 % UIS 測試保證限值。

SiHK045N60E 現已提供樣品并已實現量產。