東芝將與全球最大的內(nèi)存卡廠商美國閃迪聯(lián)手在日本三重縣新建數(shù)碼家電存儲媒體使用的半導(dǎo)體存儲器的最尖端工廠。計劃最早將于2014年度啟動量產(chǎn)，投資額為4千億日元(約合人民幣252億元)。這是東芝時隔約2年再次進(jìn)行增產(chǎn)投資。屆時，產(chǎn)能將提高2成。在日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷萎縮的背景下，東芝希望借此來提高競爭力，追趕該領(lǐng)域排名第1的韓國三星電子。
目前，東芝通過與閃迪的合資公司生產(chǎn)NAND型閃存。新工廠將在合資公司運(yùn)營的日本三重縣四日市市的廠區(qū)內(nèi)建設(shè)。東芝與閃迪各出資50%，東芝將承擔(dān)2千億日元(約合人民幣126億元)左右。目前的產(chǎn)能按直徑300毫米的晶圓計算，估計每月為45萬片，而新工廠投產(chǎn)后產(chǎn)能每月可增加10萬余片。
在日本的半導(dǎo)體業(yè)界，瑞薩電子決定關(guān)閉系統(tǒng)LSI(大規(guī)模集成電路)的最尖端工廠。爾必達(dá)存儲器則打算在美國大型半導(dǎo)體廠商美光科技旗下實現(xiàn)重建。
在日本同行業(yè)不斷萎縮的背景下，東芝在NAND型閃存的全球份額方面卻僅次于三星屈居第二。據(jù)美國環(huán)球透視公司(IHS Global)調(diào)查，2012年按供貨量計算，三星的份額為37%，東芝為31%。東芝希望通過大規(guī)模投資來縮小與三星的差距。
東芝計劃利用新工廠的生產(chǎn)線量產(chǎn)線寬在16~17納米的產(chǎn)品，而目前的產(chǎn)品線寬為19納米。通過縮小線寬，可增加每片硅晶圓生產(chǎn)的半導(dǎo)體個數(shù)、提高生產(chǎn)效率，從而在價格競爭方面與超過三星。
另一方面，預(yù)計三星也最早將于2014年量產(chǎn)把幾個芯片重疊在一起的尖端產(chǎn)品。由于三星和東芝分別投入最新技術(shù)，推進(jìn)半導(dǎo)體的小型化和生產(chǎn)的高效化，因此，今后半導(dǎo)體競爭將進(jìn)入新的階段。
受08年雷曼危機(jī)影響，NAND型閃存需求曾大幅下滑，價格與個人電腦用的DRAM同時下跌。東芝去年夏季決定減產(chǎn)3成。不過，眼下得益于智能手機(jī)和平板終端的普及，行情開始復(fù)蘇。東芝方面，來自美國蘋果和中國企業(yè)的訂單增多。再加上日元趨于貶值，從今年春季開始東芝的工廠一直處于滿負(fù)荷開工狀態(tài)。
因此，東芝決定投資200億-300億日元(約合人民幣12.6-18.9元)，在四日市工廠的現(xiàn)有廠房內(nèi)新增生產(chǎn)設(shè)備。東芝認(rèn)為從中期來看市場將繼續(xù)增長，因此決定實施投資。東芝打算在2015年度之前分階段進(jìn)行投資，如果行情出現(xiàn)惡化則將延長投資期限。