氮化鎵 (GaN) 功率集成電路 (IC) 的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者Navitas Semiconductor宣布，其采用 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast 功率 IC已升級(jí)以提高效率，功率密度，并進(jìn)入更多的快速充電器市場(chǎng)。

GaN是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，功率增加 3 倍，節(jié)能 40%，充電速度提高 3 倍，而尺寸和重量減半。GaNFast 功率 IC 集成了 GaN 功率和驅(qū)動(dòng)以及保護(hù)和控制，以提供簡(jiǎn)單、小型、快速和高效的性能。超過 3000 萬個(gè) GaNFast 電源 IC 已發(fā)貨，報(bào)告的現(xiàn)場(chǎng)故障為零。

采用 GaNSense 的 NV613x 和 NV615x GaNFast 電源 IC 的“額定電壓”已從 650V 升級(jí)到 700V，以實(shí)現(xiàn)連續(xù)運(yùn)行，額定電壓為 800V，適用于瞬態(tài)條件。更高的額定電壓可實(shí)現(xiàn)更高效的電力變壓器電路設(shè)計(jì)，并為世界上具有不可靠、變化廣泛且具有極端電壓尖峰的電網(wǎng)的地區(qū)提供更高的功能。自主系統(tǒng)級(jí)監(jiān)控和反應(yīng)確保在 30 ns 內(nèi)“檢測(cè)和保護(hù)”——比離散實(shí)施快 10 倍。

“GaNFast 功率 IC 已經(jīng)在移動(dòng)快速充電器市場(chǎng)提供了最高的可靠性和最高的性能，”Navitas 的首席運(yùn)營(yíng)官/首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Dan Kinzer 說。“Navitas 的工程、質(zhì)量和應(yīng)用團(tuán)隊(duì)繼續(xù)提供領(lǐng)先的下一代技術(shù)，采用經(jīng)過驗(yàn)證的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法，使客戶能夠在電源轉(zhuǎn)換和快速充電器設(shè)計(jì)方面進(jìn)行積極創(chuàng)新，并進(jìn)入擴(kuò)大的市場(chǎng)我們世界的更多領(lǐng)域。”

更新的數(shù)據(jù)表和可靠性報(bào)告可根據(jù) NDA 立即提供給客戶和設(shè)計(jì)合作伙伴。

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