鎧俠 (Kioxia，原東芝半導(dǎo)體Toshiba)今日宣布，該公司已成功開(kāi)發(fā)具有112層垂直堆疊結(jié)構(gòu)的第五代BiCS FLASH™三維(3D)閃存。鎧俠計(jì)劃開(kāi)始在2020年第一季度為特定應(yīng)用提供樣品，新產(chǎn)品具有512 Gb（64千兆字節(jié)）容量并采用TLC（每單元3位數(shù)據(jù)）技術(shù)*1。這款新產(chǎn)品旨在滿足對(duì)各種應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的位需求，包括傳統(tǒng)移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)和企業(yè)類(lèi)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、新的5G網(wǎng)絡(luò)支持的新興應(yīng)用、人工智能和自動(dòng)駕駛車(chē)輛。

展望未來(lái)，鎧俠將其新的第五代工藝技術(shù)應(yīng)用于更大容量的閃存產(chǎn)品，例如1 Tb（128千兆字節(jié)）TLC和1.33 Tb QLC（每單元4位數(shù)據(jù)）產(chǎn)品。

鎧俠創(chuàng)新的112層堆疊工藝技術(shù)與先進(jìn)的電路和制造工藝技術(shù)相結(jié)合，與96層堆疊工藝相比，將存儲(chǔ)單元陣列密度提高約20%。因此，每片硅晶圓可以制造的存儲(chǔ)容量更高，從而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它將接口速度提高50%，并提供更高的寫(xiě)性能和更短的讀取延遲。

自2007率先發(fā)布采用3D堆疊結(jié)構(gòu)的閃存以來(lái)*2 ，鎧俠一直在推進(jìn)3D閃存的開(kāi)發(fā)，并積極推廣BiCS FLASH™，以滿足對(duì)更小芯片尺寸和更大容量的需求。

第五代BiCS FLASH™是與技術(shù)和制造合作伙伴西部數(shù)據(jù)公司(Western Digital Corporation)共同開(kāi)發(fā)的。它將在鎧俠的四日市工廠和新建的北上工廠生產(chǎn)。

注：

1. 并非所有功能都已經(jīng)過(guò)測(cè)試，且設(shè)備特性將來(lái)可能變更。

2. 來(lái)源：鎧俠株式會(huì)社，截至2007年6月12日。

* 本文提及的所有其他公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能是其各自公司的商標(biāo)。

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