IXYS 推出600 V 超結 X3 HiPerFET 立式 MOSFET
IXYS 屬于 Littelfuse Technology，現推出 N 溝道超結 MOSFET，它具有出色的品質因數（RDS(ON) 乘以 Qg），可以實現最低的傳導和開關損耗，從而在電力系統中獲得更高的功率密度和能源效率。最新的超結 X3 級功率 MOSFET 具有顯著降低的通道電阻 RDS(ON) 和柵極電荷 Qg。與之前的 X2 級相比，該系列的品質因數 (FOM) 有了顯著降低，FOM 等于 RDS(ON) × Qg。這些優勢使設計人員能夠實現更高的效率和功率密度。該 HiPerFET™ 系列功率 MOSFET 采用體二極管，可提供低反向恢復電荷 (QRM) 和短反向恢復時間 (trr)。超結、X3 級 600 V MOSFETS 可用于下列應用，包括電信電源同步整流、電機控制、不間斷電源、DC-DC 轉換器、太陽能逆變器和多電平逆變器。
資源
功率半導體產品目錄
工業電機驅動器和軟啟動器
智能 LED 照明
特性
低導通電阻 [RDS(ON)] 和低柵極電荷 (QG)
快速軟恢復體二極管
dv/dt 穩健性
卓越的雪崩能力
國際標準封裝
應用
輕型電動汽車電池充電器
開關同步整流
電源
電機控制
DC-DC 轉換器
不間斷電源 (UPS)
電動叉車
D 類音頻放大器
電信系統
更多IC電子元器件制造商行業動態（2025年12月17日更新）
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