GeneSiC宣布推出業界領先的3300V和1700V分立SiC MOSFET，這些MOSFET經過優化可實現無與倫比的小型化, 工業家政電源的可靠性和節能.

GeneSiC半導體, 碳化硅綜合產品的先驅和全球供應商 (碳化硅) 功率半導體, 今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J. 這些SiC MOSFET可實現卓越的性能水平, 基于旗艦功績指標 (FoM) 增強和簡化跨儲能系統的電力系統, 再生能源, 工業馬達, 通用逆變器和工業照明. 發布的產品有:

G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC的新型3300V和1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和450mΩ選項的SMD和通孔分立封裝, 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統設計進行了高度優化. 與競爭產品相比，這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質量, 快速周轉的大批量制造的支持進一步增強了其價值主張.

“在1500V太陽能逆變器等應用中, 輔助電源中的MOSFET可能必須承受2500V的電壓, 取決于輸入電壓, 變壓器匝數比與輸出電壓. 高擊穿電壓MOSFET消除了反激式中串聯開關的需求, 升壓和正激轉換器，從而減少了零件數量并降低了電路復雜度. GeneSiC的3300V和1700V分立SiC MOSFET允許設計人員使用更簡單的基于單開關的拓撲，同時為客戶提供可靠的, 緊湊而經濟的系統” 蘇米特·賈達夫（Sumit Jadav）說, GeneSiC Semiconductor高級應用經理.

特征 –

優越的性價比指數

旗艦QG 設DS(上) 品質因數

低固有電容和低柵極電荷

在所有溫度下損耗低

高雪崩和短路強度

基準閾值電壓，可在高達175°C的常態下穩定運行

應用領域 –

可再生能源 (太陽能逆變器) 和儲能

工業馬達 (和債券)

通用變頻器

工業照明

壓電驅動器

離子束發生器

所有設備均可通過授權GeneSiC代理商購買