GSI Technology 的 LLDRAM 可達到以往只能通過 SRAM 實現(xiàn)的訪問速度。

GSI Technology 低延遲 DRAM 圖片GSI Technology 低延遲 DRAM (LLDRAM) 是高速存儲設(shè)備，設(shè)計用于網(wǎng)絡(luò)和電信應(yīng)用中常見的高地址速率數(shù)據(jù)處理。8 組架構(gòu)和低 tRC，達到以往只能通過 SRAM 實現(xiàn)的訪問速度。

特性

與 Micron RLDRAM® II 引腳和功能兼容

533 MHz DDR 操作（1.067 Gbps/引腳數(shù)據(jù)速率）

38.4 Gbps 峰值帶寬 (533 MHz 時鐘頻率下為 x36）

提供 x36、x18 和 x9 組織

八個內(nèi)部存儲區(qū)，用于并發(fā)操作和最大帶寬

更短的周期時間（533 MHz 時為 15 ns）

地址多路復(fù)用（提供非多路復(fù)用地址選項）

SRAM 型接口

可編程讀取延遲 (RL)、行循環(huán)時間和突發(fā)序列長度

均衡的讀寫延遲以優(yōu)化數(shù)據(jù)總線利用率

寫入命令的數(shù)據(jù)掩碼

差分輸入時鐘 (CK, CK)

差分輸入數(shù)據(jù)時鐘 (DKx, DKX)

片上 DLL 產(chǎn)生 CK 邊緣對齊的數(shù)據(jù)并輸出數(shù)據(jù)時鐘信號

數(shù)據(jù)有效信號 (QVLD)

32 ms 刷新（每個存儲體 8 K 刷新；每 32 ms 總共必須發(fā)出 64 K 刷新命令）

144 球 μBGA 封裝

HSTL I/O（1.5 V 或 1.8 V 標稱）

25 Ω 至 60 Ω 匹配阻抗輸出

2.5 V VEXT、1.8 V VDD、1.5 V 或 1.8 V VDDQ 輸入輸出

片內(nèi)端接 (ODT) RTT

商業(yè)和工業(yè)溫度

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