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              圖片信息
              SQS405ENW-T1_GE3圖片
              基本技術(shù)信息:
            3. 電子器件型號:SQS405ENW-T1_GE3
            4. 原始制造廠商:Vishay,威世
            5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
            6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
            7. 點(diǎn)擊此處下載SQS405ENW-T1_GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
            8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
            9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
            10. 制造商產(chǎn)品型號:SQS405ENW-T1_GE3
            11. 制造商:Vishay Siliconix
            12. 描述:MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
            13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
            14. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
            15. 零件狀態(tài):有源
            16. FET類型:P 通道
            17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
            18. 漏源電壓(Vdss):12V
            19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):16A(Tc)
            20. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
            21. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):20 毫歐 @ 13.5A,4.5V
            22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
            23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):75nC @ 8V
            24. Vgs(最大值):±8V
            25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2650pF @ 6V
            26. FET功能:-
            27. 功率耗散(最大值):39W(Tc)
            28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
            29. 安裝類型:表面貼裝型
            30. 器件封裝:PowerPAK? 1212-8
            31. SQS405ENW-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
            32. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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