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      圖片信息
      SQJQ910EL-T1_GE3圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):SQJQ910EL-T1_GE3
    2. 原始制造廠商:Vishay,威世
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    5. 點(diǎn)擊此處下載SQJQ910EL-T1_GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號(hào):SQJQ910EL-T1_GE3
    9. 制造商:Vishay Siliconix
    10. 描述:MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
    11. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    12. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
    13. 零件狀態(tài):有源
    14. FET類型:2 N-通道(雙)
    15. FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
    16. 漏源電壓(Vdss):100V
    17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):70A(Tc)
    18. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):8.6 毫歐 @ 10A,10V
    19. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
    20. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):58nC @ 10V
    21. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2832pF @ 50V
    22. 功率-最大值:187W
    23. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    24. 安裝類型:表面貼裝型
    25. 封裝:PowerPAK? 8 x 8 雙
    26. SQJQ910EL-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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