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              圖片信息
              SQJ980AEP-T1_GE3圖片
              基本技術(shù)信息:
            3. 電子器件型號:SQJ980AEP-T1_GE3
            4. 原始制造廠商:Vishay,威世
            5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
            6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
            7. 點(diǎn)擊此處下載SQJ980AEP-T1_GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
            8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
            9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
            10. 制造商產(chǎn)品型號:SQJ980AEP-T1_GE3
            11. 制造商:Vishay Siliconix
            12. 描述:MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
            13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
            14. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
            15. 零件狀態(tài):有源
            16. FET類型:2 N-通道(雙)
            17. FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
            18. 漏源電壓(Vdss):75V
            19. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):17A(Tc)
            20. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):50 毫歐 @ 3.8A,10V
            21. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
            22. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V
            23. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):790pF @ 35V
            24. 功率-最大值:34W(Tc)
            25. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TA)
            26. 安裝類型:表面貼裝型
            27. 封裝:PowerPAK? SO-8 雙
            28. SQJ980AEP-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
            29. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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              深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請求

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