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              圖片信息
              

              SQJ844AEP-T1_GE3圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：SQJ844AEP-T1_GE3
              6. 

            6. 原始制造廠商：Vishay，威世
              7. 

            7. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
              9. 

            9. 點擊此處下載SQJ844AEP-T1_GE3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：SQJ844AEP-T1_GE3
            12. 制造商：Vishay Siliconix
            13. 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
            14. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
            15. 產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
            16. 零件狀態：有源
            17. FET類型：2 N-通道（雙）
            18. FET功能：標準
            19. 漏源電壓（Vdss）：30V
            20. 25°C時電流-連續漏極(Id)：8A
            21. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：16.6 毫歐 @ 7.6A，10V
            22. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
            23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
            24. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1161pF @ 15V
            25. 功率-最大值：48W
            26. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
            27. 安裝類型：表面貼裝型
            28. 封裝：PowerPAK? SO-8 雙
            29. SQJ844AEP-T1_GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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