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      圖片信息
      

      SQJ412EP-T1-GE3圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：SQJ412EP-T1-GE3
      2. 

    2. 原始制造廠商：Vishay，威世
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
      4. 

    4. 產品應用分類：單端場效應管
      5. 

    5. 點擊此處下載SQJ412EP-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Vishay威世半導體原廠型號：SQJ412EP-T1-GE3
    8. 制造商：Vishay Siliconix
    9. 描述：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
    10. 系列：TrenchFET
    11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：邏輯電平門
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：40V
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：32A（Tc）
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.1 毫歐 @ 10.3A, 10V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：120nC @ 10V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5950pF @ 20V
    19. 功率 - 最大值：83W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 封裝/外殼：PowerPAK SO-8
    22. 供應商器件封裝：PowerPAK SO-8
    23. SQJ412EP-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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      深圳市南皇電子有限公司 - SQJ412EP-T1-GE3 - Vishay公司芯片現貨領導代理商
      
  
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