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      圖片信息
      SIZF918DT-T1-GE3圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):SIZF918DT-T1-GE3
    2. 原始制造廠(chǎng)商:Vishay,威世
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    5. 點(diǎn)擊此處下載SIZF918DT-T1-GE3的原廠(chǎng)技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號(hào):SIZF918DT-T1-GE3
    9. 制造商:Vishay Siliconix
    10. 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
    11. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    12. 產(chǎn)品系列:TrenchFET? Gen IV
    13. 零件狀態(tài):有源
    14. FET類(lèi)型:2 個(gè) N 通道(雙),肖特基
    15. FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
    16. 漏源電壓(Vdss):30V
    17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):23A(Ta),40A(Tc),35A(Ta),60A(Tc)
    18. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4 毫歐 @ 10A,10V,1.9 毫歐 @ 10A,10V
    19. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA,2.3V @ 250μA
    20. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):22nC,56nC @ 10V
    21. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1060pF,2650pF @ 15V
    22. 功率-最大值:3.4W(Ta),26.6W(Tc),3.7W(Ta),50W(Tc)
    23. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    24. 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
    25. 封裝:8-PowerWDFN
    26. SIZF918DT-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
      Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
      買(mǎi)到真正的SIZF918DT-T1-GE3原裝貨 - 來(lái)自全球授權(quán)的Vishay代理商、原廠(chǎng)貨源 - 深圳市南皇電子有限公司

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      深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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