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深圳市南皇電子有限公司長期提供SIZF914DT-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

SIZF914DT-T1-GE3 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SIZF914DT-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SIZF914DT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：PowerPAIR?, TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc）

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.8毫歐 @ 10A，10V，0.9毫歐 @ 10A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA，2.2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC，98nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1050pF，4670pF @ 10V

功率-最大值：3.4W (Ta)，26.6W (Tc)，4W (Ta)，60W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerWDFN

SIZF914DT-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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