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深圳市南皇電子有限公司長期提供SISS73DN-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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Vishay產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量

SISS73DN-T1-GE3 - 南皇電子長期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SISS73DN-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SISS73DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4.4A（Ta），16.2A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：719pF @ 75V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5.1W (Ta)，65.8W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? 1212-8S

SISS73DN-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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