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              圖片信息
              

              SISH625DN-T1-GE3圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：SISH625DN-T1-GE3
              6. 

            6. 原始制造廠商：Vishay，威世
              7. 

            7. 技術標準參數：MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
              9. 

            9. 點擊此處下載SISH625DN-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：SISH625DN-T1-GE3
            12. 制造商：Vishay Siliconix
            13. 描述：MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
            14. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
            15. 產品系列：TrenchFET?
            16. 零件狀態：有源
            17. FET類型：P 通道
            18. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
            19. 漏源電壓（Vdss）：30V
            20. 25°C時電流-連續漏極(Id)：17，3A（Ta），35A（Tc）
            21. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
            22. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：7 毫歐 @ 15A，10V
            23. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
            24. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：126nC @ 10V
            25. Vgs（最大值）：±20V
            26. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4427pF @ 15V
            27. FET功能：-
            28. 功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），52W（Tc）
            29. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
            30. 安裝類型：表面貼裝型
            31. 器件封裝：PowerPAK? 1212-8SH
            32. SISH625DN-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
              33. 

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