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              圖片信息
              

              SISA12DN-T1-GE3圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：SISA12DN-T1-GE3
              6. 

            6. 原始制造廠商：Vishay，威世
              7. 

            7. 技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
              8. 

            8. 產品應用分類：單端場效應管
              9. 

            9. 點擊此處下載SISA12DN-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. Vishay威世半導體原廠型號：SISA12DN-T1-GE3
            12. 制造商：Vishay Siliconix
            13. 描述：MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
            14. 系列：TrenchFET
            15. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
            16. FET 功能：邏輯電平門
            17. 漏源極電壓 (Vdss)：30V
            18. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：25A（Tc）
            19. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 10A，10V
            20. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
            21. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V
            22. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2070pF @ 15V
            23. 功率 - 最大值：28W
            24. 安裝類型：表面貼裝
            25. 封裝/外殼：PowerPAK 1212-8
            26. 供應商器件封裝：PowerPAK 1212-8
            27. SISA12DN-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
              28. 

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