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              深圳市南皇電子有限公司長期提供SIR800DP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
              
  
              快速詢價(jià)熱線
              
  
  
              

              

              

              深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
              

              

              

              

              

              

              

              

              

              

              

              


              Vishay產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量
              

              SIR800DP-T1-GE3 - 南皇電子長期提供競爭力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。
              

              

              

              

              圖片信息
              

              SIR800DP-T1-GE3圖片
              

              

              

              

              基本技術(shù)信息：
              

            5. 電子器件型號：SIR800DP-T1-GE3
              6. 

            6. 原始制造廠商：Vishay，威世
              7. 

            7. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
              8. 

            8. 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
              9. 

            9. 點(diǎn)擊此處下載SIR800DP-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術(shù)參數(shù)詳解：
              

            11. 制造商產(chǎn)品型號：SIR800DP-T1-GE3
            12. 制造商：Vishay Siliconix
            13. 描述：MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
            14. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
            15. 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
            16. 零件狀態(tài)：有源
            17. FET類型：N 通道
            18. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
            19. 漏源電壓（Vdss）：20V
            20. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：50A（Tc）
            21. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
            22. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.3 毫歐 @ 15A，10V
            23. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
            24. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：133nC @ 10V
            25. Vgs（最大值）：±12V
            26. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：5125pF @ 10V
            27. FET功能：-
            28. 功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），69W（Tc）
            29. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
            30. 安裝類型：表面貼裝型
            31. 器件封裝：PowerPAK? SO-8
            32. SIR800DP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
              33. 

              時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              

              

              


              

              

              

              

              Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
              

              

              買到真正的SIR800DP-T1-GE3原裝貨 - 來自全球授權(quán)的Vishay代理商、原廠貨源 - 深圳市南皇電子有限公司
              

              
  
              深圳市南皇電子有限公司 - SIR800DP-T1-GE3 - Vishay公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商
              
  
              深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請求
              
  
              除Vishay外，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢：ESMT | EPCOS | Ecliptek | DAVICOM | CML Microcircuits | 
              

              

              

              

              



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