深圳市南皇電子有限公司長期提供SIR610DP-T1-RE3（品牌: Vishay）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
制造商產品型號：SIR610DP-T1-RE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：ThunderFET?零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：200V25°C時電流-連續漏極(Id)：35.4A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：31.9 毫歐 @ 10A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1380pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：104W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK? SO-8SIR610DP-T1-RE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
