欧美熟妇乱子伦XX视频,日韩av一区二区高清不卡,日本久久精品一区二区三区 ,亚洲人成电影网站色mp4,天堂影院一区二区三区四区

深圳市南皇電子有限公司長期提供SIR150DP-T1-RE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

EN | 繁體

SIR150DP-T1-RE3 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SIR150DP-T1-RE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處下載SIR150DP-T1-RE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

現(xiàn)貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產的所有大小批量采購需求！

技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：SIR150DP-T1-RE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：45V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：30.9A（Ta），110A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.71毫歐 @ 15A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4000pF @ 20V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），65.7W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

SIR150DP-T1-RE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Vishay

Vishay

Vishay

Vishay

Vishay

Vishay

買到真正的SIR150DP-T1-RE3原裝貨 - 來自全球授權的Vishay代理商、原廠貨源 - 深圳市南皇電子有限公司

深圳市南皇電子有限公司 - SIR150DP-T1-RE3 - Vishay公司芯片現(xiàn)貨領導代理商

深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領先的IC供應商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應您的報價請求