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              圖片信息
              SIR120DP-T1-RE3圖片
              基本技術(shù)信息:
            3. 電子器件型號:SIR120DP-T1-RE3
            4. 原始制造廠商:Vishay,威世
            5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
            6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
            7. 點(diǎn)擊此處下載SIR120DP-T1-RE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
            8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
            9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
            10. 制造商產(chǎn)品型號:SIR120DP-T1-RE3
            11. 制造商:Vishay Siliconix
            12. 描述:MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
            13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
            14. 產(chǎn)品系列:TrenchFET? Gen IV
            15. 零件狀態(tài):有源
            16. FET類型:N 通道
            17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
            18. 漏源電壓(Vdss):80V
            19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):24.7A(Ta),106A(Tc)
            20. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):7.5V,10V
            21. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):3.55 毫歐 @ 15A,10V
            22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
            23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):94nC @ 10V
            24. Vgs(最大值):±20V
            25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4150pF @ 40V
            26. FET功能:-
            27. 功率耗散(最大值):5.4W(Ta),100W(Tc)
            28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
            29. 安裝類型:表面貼裝型
            30. 器件封裝:PowerPAK? SO-8
            31. SIR120DP-T1-RE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
            32. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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