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              圖片信息
              SIDR392DP-T1-GE3圖片
              基本技術(shù)信息:
            3. 電子器件型號(hào):SIDR392DP-T1-GE3
            4. 原始制造廠商:Vishay,威世
            5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
            6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
            7. 點(diǎn)擊此處下載SIDR392DP-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
            8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
            9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
            10. 制造商產(chǎn)品型號(hào):SIDR392DP-T1-GE3
            11. 制造商:Vishay Siliconix
            12. 描述:MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
            13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
            14. 產(chǎn)品系列:TrenchFET? Gen IV
            15. 零件狀態(tài):有源
            16. FET類型:N 通道
            17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
            18. 漏源電壓(Vdss):30V
            19. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):82A(Ta),100A(Tc)
            20. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
            21. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):0.62 毫歐 @ 20A,10V
            22. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
            23. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):188nC @ 10V
            24. Vgs(最大值):+20V,-16V
            25. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):9530pF @ 15V
            26. FET功能:-
            27. 功率耗散(最大值):6.25W(Ta),125W(Tc)
            28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
            29. 安裝類型:表面貼裝型
            30. 器件封裝:PowerPAK? SO-8DC
            31. SIDR392DP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
            32. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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