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      圖片信息
      

      SIDR170DP-T1-RE3圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：SIDR170DP-T1-RE3
      2. 

    2. 原始制造廠商：Vishay，威世
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
      5. 

    5. 點擊此處下載SIDR170DP-T1-RE3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：SIDR170DP-T1-RE3
    8. 制造商：Vishay Siliconix
    9. 描述：MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
    11. 產品系列：TrenchFET? Gen IV
    12. 零件狀態：有源
    13. FET類型：N 通道
    14. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
    15. 漏源電壓（Vdss）：100V
    16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：23.2A (Ta)，95A (Tc)
    17. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
    18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.8 毫歐 @ 20A，10V
    19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
    20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：140nC @ 10V
    21. Vgs（最大值）：±20V
    22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：6195pF @ 50V
    23. FET功能：-
    24. 功率耗散（最大值）：6.25W（Ta），125W（Tc）
    25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    26. 安裝類型：表面貼裝型
    27. 器件封裝：PowerPAK? SO-8DC
    28. SIDR170DP-T1-RE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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