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      圖片信息
      

      SIA519EDJ-T1-GE3圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：SIA519EDJ-T1-GE3
      2. 

    2. 原始制造廠商：Vishay，威世
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
      5. 

    5. 點擊此處下載SIA519EDJ-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：SIA519EDJ-T1-GE3
    8. 制造商：Vishay Siliconix
    9. 描述：MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
    11. 產品系列：TrenchFET?
    12. 零件狀態：有源
    13. FET類型：N 和 P 溝道
    14. FET功能：邏輯電平門
    15. 漏源電壓（Vdss）：20V
    16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：4.5A
    17. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：40 毫歐 @ 4.2A，4.5V
    18. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
    19. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
    20. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：350pF @ 10V
    21. 功率-最大值：7.8W
    22. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    23. 安裝類型：表面貼裝型
    24. 封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
    25. SIA519EDJ-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      26. 

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