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      圖片信息
      SIA419DJ-T1-GE3圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號:SIA419DJ-T1-GE3
    2. 原始制造廠商:Vishay,威世
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    5. 點(diǎn)擊此處下載SIA419DJ-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號:SIA419DJ-T1-GE3
    9. 制造商:Vishay Siliconix
    10. 描述:MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
    11. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    12. 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
    13. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    14. FET類型:P 通道
    15. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    16. 漏源電壓(Vdss):20V
    17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):12A(Tc)
    18. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,4.5V
    19. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):30 毫歐 @ 5.9A,4.5V
    20. 不同Id時Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA
    21. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):29nC @ 5V
    22. Vgs(最大值):±5V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 10V
    24. FET功能:-
    25. 功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc)
    26. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 器件封裝:PowerPAK? SC-70-6 單
    29. SIA419DJ-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    30. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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      深圳市南皇電子有限公司 - SIA419DJ-T1-GE3 - Vishay公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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