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              深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SI5511DC-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
              
  
              快速詢(xún)價(jià)熱線(xiàn)
              
  
  
              

              

              

              深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
              

              

              

              

              

              

              

              

              

              

              

              


              Vishay產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量
              

              SI5511DC-T1-GE3 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。
              

              

              

              

              圖片信息
              

              SI5511DC-T1-GE3圖片
              

              

              

              

              基本技術(shù)信息：
              

            5. 電子器件型號(hào)：SI5511DC-T1-GE3
              6. 

            6. 原始制造廠商：Vishay，威世
              7. 

            7. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
              8. 

            8. 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
              9. 

            9. 點(diǎn)擊此處下載SI5511DC-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術(shù)參數(shù)詳解：
              

            11. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SI5511DC-T1-GE3
            12. 制造商：Vishay Siliconix
            13. 描述：MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
            14. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
            15. 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
            16. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
            17. FET類(lèi)型：N 和 P 溝道
            18. FET功能：邏輯電平門(mén)
            19. 漏源電壓（Vdss）：30V
            20. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4A，3.6A
            21. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：55 毫歐 @ 4.8A，4.5V
            22. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
            23. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.1nC @ 5V
            24. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：435pF @ 15V
            25. 功率-最大值：3.1W，2.6W
            26. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
            27. 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
            28. 封裝：8-SMD，扁平引線(xiàn)
            29. SI5511DC-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
              30. 

              時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
              

              

              


              

              

              

              

              Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
              

              

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              除Vishay外，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢(shì)：Realtek | Qualcomm | Power Integrations | ON | Nuvoton | 
              

              

              

              

              



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