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深圳市南皇電子有限公司長期提供XPW6R30ANB,L1XHQ（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：XPW6R30ANB,L1XHQ

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：XPW6R30ANB,L1XHQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：U-MOSVIII-H

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：45A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.3 毫歐 @ 22.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 500μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：52nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3240pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：960mW（Ta），132W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-DSOP Advance

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