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      圖片信息
      TW070J120B,S1Q圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):TW070J120B,S1Q
    2. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    5. 點(diǎn)擊此處下載TW070J120B,S1Q的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號(hào):TW070J120B,S1Q
    9. 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
    10. 描述:SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
    11. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    12. 產(chǎn)品系列:*
    13. 零件狀態(tài):有源
    14. FET類(lèi)型:N 通道
    15. 技術(shù):SiCFET(碳化硅)
    16. 漏源電壓(Vdss):1200V
    17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):36A(Tc)
    18. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
    19. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):90 毫歐 @ 18A,20V
    20. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5.8V @ 20mA
    21. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):67nC @ 20V
    22. Vgs(最大值):±25V,-10V
    23. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1680pF @ 800V
    24. FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
    25. 功率耗散(最大值):272W(Tc)
    26. 工作溫度:-55°C ~ 175°C
    27. 安裝類(lèi)型:通孔
    28. 器件封裝:TO-3P(N)
    29. TW070J120B,S1Q均從Toshiba代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    30. 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
      Toshiba產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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      深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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