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深圳市南皇電子有限公司長期提供TPH1R712MD,L1Q（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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TPH1R712MD,L1Q - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術支持，Toshiba代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TPH1R712MD,L1Q

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體

技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：TPH1R712MD,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：U-MOSVI

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：60A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 30A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：182nC @ 5V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：10900pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：78W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SOP Advance（5x5）

TPH1R712MD,L1Q均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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