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      圖片信息
      

      TJ11A10M3,S5Q(M圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：TJ11A10M3,S5Q(M
      2. 

    2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
      4. 

    4. 產品應用分類：FET - 單
      5. 

    5. 點擊此處下載TJ11A10M3,S5Q(M的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 東芝半導體公司完整型號: TJ11A10M3,S5Q(M
    8. 制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
    9. 功能總體簡述: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
    10. 系列: -
    11. FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能: 標準
    13. 漏源極電壓（Vdss）: 100V
    14. 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 11A（Ta）
    15. 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 130 毫歐 @ 5.5A，10V
    16. 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 69nC @ 10V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 3200pF @ 10V
    19. 功率 - 最大值: 24W
    20. 安裝類型: 通孔
    21. 封裝/外殼: TO-220-3 整包
    22. 供應商器件封裝: TO-220SIS
    23. TJ11A10M3,S5Q(M均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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