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              圖片信息
              

              TC58BYG1S3HBAI6圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：TC58BYG1S3HBAI6
              6. 

            6. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：EEPROM SLC 2GB NAND 24NM 67VFBGA
              8. 

            8. 產品應用分類：存儲器
              9. 

            9. 點擊此處下載TC58BYG1S3HBAI6的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 東芝半導體公司完整型號: TC58BYG1S3HBAI6
            12. 制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
            13. 功能總體簡述: EEPROM SLC 2GB NAND 24NM 67VFBGA
            14. 系列: Benand
            15. 格式 - 存儲器: EEPROMs - 串行
            16. 存儲器類型: EEPROM - NAND
            17. 存儲容量: 2G（256M x 8）
            18. 速度: 25ns
            19. 接口: 并聯
            20. 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
            21. 工作溫度: -40°C ~ 85°C
            22. 封裝/外殼: 67-VFBGA
            23. 供應商器件封裝: 67-VFBGA（6.5x8）
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