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      圖片信息
      

      SSM6K211FE(TE85L,F圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：SSM6K211FE(TE85L,F
      2. 

    2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
      4. 

    4. 產品應用分類：單端場效應管
      5. 

    5. 點擊此處下載SSM6K211FE(TE85L,F的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 東芝半導體公司完整型號：SSM6K211FE(TE85L,F
    8. 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
    9. 描述：MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
    10. 系列：-
    11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：20V
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：3.2A（Ta）
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：47 毫歐 @ 2A，4.5V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.8nC @ 4.5V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：510pF @ 10V
    19. 功率 - 最大值：500mW
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
    22. 供應商器件封裝：ES6（1.6x1.6）
    23. SSM6K211FE(TE85L,F均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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