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      圖片信息
      

      SSM6J501NU,LF(T圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：SSM6J501NU,LF(T
      2. 

    2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
      4. 

    4. 產品應用分類：單端場效應管
      5. 

    5. 點擊此處下載SSM6J501NU,LF(T的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 東芝半導體公司完整型號：SSM6J501NU,LF(T
    8. 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
    9. 描述：MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
    10. 系列：-
    11. FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：20V
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10A（Ta）
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：15.3 毫歐 @ 4A，4.5V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29.9nC @ 4.5V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 10V
    19. 功率 - 最大值：1W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
    22. 供應商器件封裝：6-UDFN （2x2）
    23. SSM6J501NU,LF(T均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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