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      圖片信息
      

      RN46A1(TE85L,F)圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：RN46A1(TE85L,F)
      2. 

    2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：PNP + NPN BRT, Q1BSR=22K?, Q1BER
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
      5. 

    5. 點擊此處下載RN46A1(TE85L,F)的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：RN46A1(TE85L,F)
    8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
    9. 描述：PNP + NPN BRT, Q1BSR=22K?, Q1BER
    10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
    11. 零件狀態：有源
    12. 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
    13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
    15. 電阻器-基極(R1)：9.4Ah
    16. 電阻器-發射極(R2)：9.4Ah
    17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：22 千歐，10 千歐
    18. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
    19. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
    20. 頻率-躍遷：200MHz，250MHz
    21. 功率-最大值：300mW
    22. 安裝類型：表面貼裝型
    23. 封裝：SC-74，SOT-457
    24. RN46A1(TE85L,F)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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