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      圖片信息
      

      RN1708JE(TE85L,F)圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：RN1708JE(TE85L,F)
      2. 

    2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：NPN X 2 BRT, Q1BSR=22K?, Q1BER=4
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
      5. 

    5. 點擊此處下載RN1708JE(TE85L,F)的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：RN1708JE(TE85L,F)
    8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
    9. 描述：NPN X 2 BRT, Q1BSR=22K?, Q1BER=4
    10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
    11. 零件狀態：有源
    12. 晶體管類型：2 NPN - 預偏壓（雙）（耦合發射器）
    13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
    15. 電阻器-基極(R1)：22 千歐
    16. 電阻器-發射極(R2)：47 千歐
    17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
    18. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
    19. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
    20. 頻率-躍遷：250MHz
    21. 功率-最大值：100mW
    22. 安裝類型：表面貼裝型
    23. 封裝：SOT-553
    24. RN1708JE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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