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      圖片信息
      

      HN4B01JE(TE85L,F)圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：HN4B01JE(TE85L,F)
      2. 

    2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
      5. 

    5. 點擊此處下載HN4B01JE(TE85L,F)的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：HN4B01JE(TE85L,F)
    8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
    9. 描述：TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
    10. 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
    11. 零件狀態：有源
    12. 晶體管類型：NPN，PNP（耦合發射器）
    13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：150mA
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
    15. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA
    16. 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
    17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：120 @ 10MA，100MA
    18. 功率-最大值：100mW
    19. 頻率-躍遷：80MHz
    20. 工作溫度：150°C（TJ）
    21. 安裝類型：表面貼裝型
    22. 封裝：SOT-553
    23. HN4B01JE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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      Toshiba產品廣泛的應用范圍
      

      

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