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      圖片信息
      

      HN3C10FUTE85LF圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：HN3C10FUTE85LF
      2. 

    2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
      5. 

    5. 點擊此處下載HN3C10FUTE85LF的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：HN3C10FUTE85LF
    8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
    9. 描述：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
    10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
    11. 零件狀態：停產
    12. 晶體管類型：2 NPN（雙）
    13. 電壓-集射極擊穿（最大值）：12V
    14. 頻率-躍遷：7GHz
    15. 噪聲系數（dB，不同f時的典型值）：1.1dB @ 1GHz
    16. 增益：11.5dB
    17. 功率-最大值：200mW
    18. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V
    19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：80mA
    20. 工作溫度：-
    21. 安裝類型：表面貼裝型
    22. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    23. HN3C10FUTE85LF均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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      Toshiba產品廣泛的應用范圍
      

      

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      深圳市南皇電子有限公司 - HN3C10FUTE85LF - Toshiba公司芯片現貨領導代理商
      
  
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      除Toshiba外，我司還在以下品牌具有優勢：pSemi | Panasonic | Murata | Mstar | MCC | 
      

      

      

      

      



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