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              圖片信息
              

              TLE2062IDR圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：TLE2062IDR
              6. 

            6. 原始制造廠商：TI，德州儀器（Texas Instruments）
              7. 

            7. 技術標準參數：IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
              8. 

            8. 產品應用分類：線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器
              9. 

            9. 點擊此處下載TLE2062IDR的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：TLE2062IDR
            12. 制造商：Texas Instruments
            13. 描述：IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
            14. 產品系列：線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器
            15. 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
            16. 系列：-
            17. 零件狀態：有源
            18. 放大器類型：J-FET
            19. 電路數：2
            20. 輸出類型：-
            21. 壓擺率：3.4V/μs
            22. 增益帶寬積：2MHz
            23. -3db帶寬：-
            24. 電流-輸入偏置：4pA
            25. 電壓-輸入補償：900μV
            26. 電流-供電：625μA（x2 通道）
            27. 電流-輸出/通道：80mA
            28. 電壓-供電，單/雙?(±)：7V ~ 36V，±3.5V ~ 18V
            29. 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
            30. 安裝類型：表面貼裝型
            31. 產品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
            32. TLE2062IDR均從TI代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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