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深圳市南皇電子有限公司長期提供CSD17556Q5BT（品牌: TI）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：CSD17556Q5BT

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：CSD17556Q5BT

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：NexFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：100A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.4 毫歐 @ 40A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.65V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：39nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7020pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），191W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-VSON-CLIP（5x6）

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