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              圖片信息
              M474B1G73EB0-YK0圖片
              基本技術信息:
            3. 電子器件型號:M474B1G73EB0-YK0
            4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
            5. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
            6. 產品應用分類:模塊
            7. 點擊此處下載M474B1G73EB0-YK0的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
            8. 現貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求!
            9. 技術參數詳解:
            10. 三星模塊型號:M474B1G73EB0-YK0
            11. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
            12. 功能類別:模塊
            13. DDR:三代雙倍數據率同步動態隨機存儲器
            14. DIMM 類型:SODIMM
            15. 容量:8GB
            16. 內存區塊組織:2R x 8
            17. 速率:1600 Mbps
            18. 工作電壓:1.35 V
            19. 組件成分:(512M x 8) x 18
            20. M474B1G73EB0-YK0均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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