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      圖片信息
      KMFNX0012M-B214圖片
      基本技術信息:
    1. 電子器件型號:KMFNX0012M-B214
    2. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    3. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
    4. 產品應用分類:多制層封裝芯片
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    7. 技術參數詳解:
    8. 三星芯片型號:KMFNX0012M-B214
    9. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    10. 功能類別:多制層封裝芯片
    11. eStorage 密度:8 GB
    12. eStorage 版本:嵌入式多媒體卡 5.1
    13. DRAM 密度:8 Gb
    14. DRAM 類型:三代低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
    15. 封裝:221FBGA
    16. 速率:1866 Mbps
    17. 產品狀態:批量生產
    18. KMFNX0012M-B214均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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