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      圖片信息
      KM2V7001CM-B706圖片
      基本技術信息:
    1. 電子器件型號:KM2V7001CM-B706
    2. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    3. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
    4. 產品應用分類:多制層封裝芯片
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    7. 技術參數詳解:
    8. 三星芯片型號:KM2V7001CM-B706
    9. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    10. 功能類別:多制層封裝芯片
    11. eStorage 密度:128 GB
    12. eStorage 版本:UFS 2.1
    13. DRAM 密度:48Gb
    14. DRAM 類型:四代超低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
    15. 封裝:254FBGA
    16. 速率:3733 Mbps
    17. 產品狀態:批量生產
    18. KM2V7001CM-B706均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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