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              圖片信息
              K4T1G164QJ圖片
              基本技術信息:
            3. 電子器件型號:K4T1G164QJ
            4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
            5. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
            6. 產品應用分類:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
            7. 點擊此處下載K4T1G164QJ的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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            9. 技術參數詳解:
            10. 三星芯片型號:K4T1G164QJ
            11. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
            12. 功能類別:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
            13. 容量:1Gb
            14. 架構:64M x 16
            15. 速率:1066 Mbps
            16. 工作電壓:1.8 V
            17. 工作溫度:0 ~ 85 °C
            18. 封裝:84FBGA
            19. 產品狀態:批量生產
            20. K4T1G164QJ均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
            21. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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