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      圖片信息
      K4G41325FE-HC28圖片
      基本技術信息:
    1. 電子器件型號:K4G41325FE-HC28
    2. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    3. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
    4. 產品應用分類:顯存芯片
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    7. 技術參數詳解:
    8. 三星芯片型號:K4G41325FE-HC28
    9. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    10. 功能類別:顯存
    11. 容量:4Gb
    12. 架構:128M x 32
    13. 速率:7.0 Gbps
    14. 刷新:16K/32 ms
    15. 封裝:170FBGA
    16. 生產狀態:批量生產
    17. K4G41325FE-HC28均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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