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      圖片信息
      K4F8E3S4HB-MFCJ圖片
      基本技術信息:
    1. 電子器件型號:K4F8E3S4HB-MFCJ
    2. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    3. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
    4. 產品應用分類:低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
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    7. 技術參數詳解:
    8. 三星芯片型號:K4F8E3S4HB-MFCJ
    9. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    10. 功能類別:低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
    11. 容量:8Gb
    12. 架構:x32
    13. 速率:3733 Mbps
    14. 工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
    15. 工作溫度:-40 ~ 95 °C
    16. 封裝:200FBGA
    17. 產品狀態:批量生產
    18. K4F8E3S4HB-MFCJ均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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