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      圖片信息
      K4B1G0846I-BYNB圖片
      基本技術信息:
    1. 電子器件型號:K4B1G0846I-BYNB
    2. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    3. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
    4. 產品應用分類:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
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    7. 技術參數詳解:
    8. 三星芯片型號:K4B1G0846I-BYNB
    9. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    10. 功能類別:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
    11. 容量:1Gb
    12. 架構:128M x 8
    13. 速率:2133 Mbps
    14. 工作電壓:1.35 V
    15. 工作溫度:0 ~ 85 °C
    16. 封裝:78FBGA
    17. 產品狀態:批量生產
    18. K4B1G0846I-BYNB均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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