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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：STGWT80H65FB

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGWT80H65FB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：120A

電流-集電極脈沖(Icm)：240A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A

功率-最大值：469W

開(kāi)關(guān)能量：2.1mJ（開(kāi)），1.5mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：414nC

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：84ns/280ns

測(cè)試條件：400V，80A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

STGWT80H65FB均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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