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      圖片信息
      

      STGWT80H65DFB圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：STGWT80H65DFB
      2. 

    2. 原始制造廠商：ST，意法半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
      5. 

    5. 點擊此處下載STGWT80H65DFB的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：STGWT80H65DFB
    8. 制造商：STMicroelectronics
    9. 描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    11. 產品系列：-
    12. 零件狀態：有源
    13. IGBT類型：溝槽型場截止
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：120A
    16. 電流-集電極脈沖(Icm)：240A
    17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
    18. 功率-最大值：469W
    19. 開關能量：2.1mJ（開），1.5mJ（關）
    20. 輸入類型：標準
    21. 柵極電荷：414nC
    22. 25°C時Td（開/關）值：84ns/280ns
    23. 測試條件：400V，80A，10 歐姆，15V
    24. 反向恢復時間(trr)：85ns
    25. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    26. 安裝類型：通孔
    27. 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
    28. STGWT80H65DFB均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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