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              圖片信息
              

              STGWT40H65DFB圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：STGWT40H65DFB
              6. 

            6. 原始制造廠商：ST，意法半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
              9. 

            9. 點擊此處下載STGWT40H65DFB的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：STGWT40H65DFB
            12. 制造商：STMicroelectronics
            13. 描述：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
            14. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            15. 產品系列：-
            16. 零件狀態：有源
            17. IGBT類型：溝槽型場截止
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
            19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
            20. 電流-集電極脈沖(Icm)：160A
            21. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
            22. 功率-最大值：283W
            23. 開關能量：498μJ（開），363μJ（關）
            24. 輸入類型：標準
            25. 柵極電荷：210nC
            26. 25°C時Td（開/關）值：40ns/142ns
            27. 測試條件：400V，40A，5 歐姆，15V
            28. 反向恢復時間(trr)：62ns
            29. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
            30. 安裝類型：通孔
            31. 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
            32. STGWT40H65DFB均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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