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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGW60H65DRF

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 650V 120A 420W TO247

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGW60H65DRF

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 120A 420W TO247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：120A

電流-集電極脈沖(Icm)：240A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，60A

功率-最大值：420W

開關(guān)能量：940μJ（開），1.06mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：217nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：85ns/178ns

測試條件：400V，60A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：19ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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